薄膜多結晶シリコン光電変換装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳野隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234467
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094766
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】結晶系光電変換装置、その中でも特に太陽電池における諸問題を解決し、大面積化と低コスト化が可能な薄膜多結晶シリコン光電変換装置とその製造方法を提供するものである。【構成】光電変換装置については、透光性基板上に一導電型の多結晶シリコン薄膜と逆導電型の多結晶シリコン薄膜とを順次形成して透光性基板側を光の入射側としたものであり、透光性基板上に非単結晶シリコン薄膜をレーザーアニールすることによって一導電型の多結晶シリコン薄膜を得る工程と、前記一導電型の多結晶シリコン薄膜上に、気相成長または固相成長によって逆導電型の多結晶シリコン薄膜を得る工程とを用いてこの光電変換装置を作製するものである。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に一導電型の多結晶シリコン薄膜と逆導電型の多結晶シリコン薄膜とを順次形成するとともに、少なくとも前記一導電型の多結晶シリコン薄膜の面方位が(100)、(111)、(110)のいずれかに配向している薄膜多結晶シリコン光電変換装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-212473
特開平3-159179
特開平4-212473

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