特許
J-GLOBAL ID：200903090208444837

マスクエラー係数補償によりライン幅をコントロールするDUVスキャナ

発明者：
プラディープ ケイ ゴヴィル

プラディープ ケイ ゴヴィル について

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ジェイムズ ツァコイエネス

ジェイムズ ツァコイエネス について


出願人/特許権者：
エスヴィージー リトグラフィー システムズ インコーポレイテッド

エスヴィージー リトグラフィー システムズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-100410
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359184
出願日： 2002年04月02日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】基板におけるMEF変化およびレチクルライン幅変動から生じるライン幅変動およびバイアスを種々異なる空間的位置での露光量と部分可干渉性の補正によってコントロールする。【解決手段】レチクルの画像を感光性基板に投影するフォトリソグラムデバイスにおいて、調整可能スリットが部分可干渉性調整器と組み合わされ、種々異なる空間的位置において感光性基板に受光される露光量およびシステムの部分可干渉性を整する。ライン幅変化、および水平、垂直バイアスまたは配向バイアスが種々異なる空間的位置でレチクルを基準にして計算または測定され、補正された露光量および部分可干渉性が所要の空間的位置で検出され、ライン幅の変動および基板におけるバイアスを補償する。画像の印刷が改善され、比較的に小さなフューチャサイズの半導体デバイスが製造され、歩留まりが向上する。
請求項（抜粋）：
照明源と、部分可干渉性調整器と、調整可能スリットと、レチクルステージと、基板ステージと、投影光学系とを有するフォトリソグラフデバイスであって、前記部分可干渉性調整器は、電磁放射を前記照明源から受け、前記調整可能スリットは、電磁放射を前記照明源から受け、前記レチクルステージは、レチクルをその上に保持するように構成されており、前記基板ステージは、感光性基板をその上に保持するように構成されており、前記投影光学系は、前記レチクルステージと前記基板ステージとの間に配置されており、前記投影光学系は、レチクルの画像を感光性基板に投影する形式のフォトリソグラフデバイスにおいて、基板が受ける電磁放射の量を前記調整可能スリットにより変化し、照明の部分可干渉性を前記部分可干渉性調整器により変更し、これによりライン幅変動と配向バイアスを制御する、ことを特徴とするフォトリソグラフデバイス。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521
FI (4件)：
G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 515 D ,  H01L 21/30 516 A ,  H01L 21/30 527
Fターム (6件)：
5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046CB05 ,  5F046CB23 ,  5F046DA02 ,  5F046DB01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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