特許
J-GLOBAL ID：200903090212260937
ドット体の形成方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-338952
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233752
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 基板上の所望の位置に量子ドット体として機能する所望の大きさのドット体を形成し、高性能の半導体素子を実現する。【解決手段】 p型Si基板101上に形成したRat IgG 抗体膜102に選択的に紫外線104を照射して、失活Rat IgG 抗体膜105となる領域以外のみにRat IgG 抗体膜102を残す。次に、Rat IgG 抗原107と結合したAu微粒子106を含む溶液中にp型Si基板101を設置すると、Rat IgG 抗原107とRat IgG 抗体膜102とは選択的に結合して、Rat IgG 抗体膜102上にRat IgG抗原107と結合しているAu微粒子106が固定される。その後、p型Si基板101を酸素プラズマ中に20分間設置し、p型Si基板101上に形成されたRat IgG 抗体膜,失活Rat IgG 抗体膜105及びRat IgG 抗原107を除去し、p型Si基板101上の所望の位置にドット体110を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上の一部に第1の化合物を形成する第1のステップと、上記基板に形成されている上記第1の化合物と結合する性質を有する第2の化合物を微粒子の表面に付着させる第2のステップと、上記第1の化合物と第2の化合物とを結合させて、上記基板上の第1の化合物が形成されている部分のみに選択的に微粒子を設置して、該微粒子により構成されるドット体を形成する第3のステップとを含むドット体の形成方法。
IPC (6件)：
H01L 29/06
, H01L 27/10 451
, H01L 29/78
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 29/06
, H01L 27/10 451
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 371
