特許

J-GLOBAL ID：200903090218741775

半導体装置の製造方法,超微細パターニング方法及びコンデンサの製造方法

発明者： イヨン,クオン・ジオン ,  サ・ギュン・ラ ,  ドン・ウオン・キム ,  ヒヨン・ホオン・ソ ,  ソン・チオル・キム ,  ズン・キ・キム
出願人/特許権者： ゴールド スター エレグトロン カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-166690
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190511
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 超微細パターン構造の半導体を得る。【構成】 半導体装置の超微細パターニング技術に関し、エッチングされる第1層(2)上に山と谷とを有し第1層(2)にエッチング選択比が大きい半球形粒子層(3)を形成する工程と、半球形粒子層(3)の谷部分に半球形粒子層(3)よりエッチング選択比が大きい第2層(4)を埋設する工程と、第2層(4)をマスクとして前記半球形粒子層(3)の山部分をエッチングバックして前記第1層(2)の表面が露出されるようにした後、継続して前記第1層(2)をさらにエッチングバックする工程とからなる。半球形粒子層を使用することにより、パターンマスクが得られるので、0.1μm程度の超微細パターニングが可能となり、また半球形粒子層の山と谷との平均大きさ及び密度を調節できるのでパターンサイズも調節できる。

請求項（抜粋）：

(a)エッチングされる第1層上に山と谷とを有し前記第1層よりエッチング選択比が大きい半球形粒子層を形成する工程と;(b)前記半球形粒子層の谷部分に前記半球形粒子層よりエッチング選択比が大きい第2層を充填する工程と;(c)前記第2層をマスクとして前記半球形粒子層の山部分をエッチングバックして前記第1層の表面が露出されるようにした後、継続して前記1層をさらにエッチングバックする工程とからなる超微細パターニングの半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平1-119049
  
• 特開平2-119135
  
• 特開平1-187847
  
• 特開平3-091957
  
• 特開昭63-281457