特許
J-GLOBAL ID：200903090220265328

窒化物半導体レーザ素子チップとそれを含むレーザ装置

発明者：
花岡 大介

花岡 大介 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-208640
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055683
出願日： 2002年07月17日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】改善されたレーザ発振寿命を有する窒化物半導体レーザ素子チップおよびそれを含むレーザ装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体レーザ素子チップは窒化物半導体基板101の一主面上において順次積層されたn型層と活性層とp型層を含む窒化物半導体積層構造102を含み、p型層の一部にリッジストライプ構造106が形成されており、そのストライプ構造106の長手方向に沿ったチップ長さをL1としかつストライプ構造106の幅方向に沿ったチップ長さをL2としたときに、L1が500μm以上、L2が200μm以上、そしてL1/L2が2.5以上に設定される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板の一主面上において順次積層されたn型層と活性層とp型層を含む窒化物半導体積層構造を含み、前記p型層の一部にリッジストライプ構造が形成されたレーザ素子チップにおいて、 前記ストライプ構造の長手方向に沿った前記チップの長さをL1としかつ前記ストライプ構造の幅方向に沿った前記チップの長さをL2としたときに、L1が500μm以上、L2が200μm以上、そしてL1/L2が2.5以上であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子チップ。
IPC (2件)：
H01S5/323 ,  H01S5/022
FI (2件)：
H01S5/323 610 ,  H01S5/022
Fターム (16件)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073DA21 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28 ,  5F073FA14 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22
引用特許：
審査官引用 (3件)

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