特許
J-GLOBAL ID：200903090220294247
半導体装置の製造方法および露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194257
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045287
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 被エッチング面積の小さいドライエッチング・プロセスにおいても、エッチング終点を鋭敏に判定する。【構成】 SiO2 層間絶縁膜3をエッチングして微細なコンタクト・ホールを形成するプロセスにおいて、ウェハW2 上のチップ取得領域αの外周側を占める無効領域β上においてレジスト・マスク4を選択的に除去し、被エッチング面積を増大させる。エッチングにフルオロカーボン・ガスを用いた場合、反応生成物CO* の生成量が増大し、発光スペクトル強度変化が観測できるようになる。上記のレジスト・マスク4の選択除去は、選択露光と現像処理により行う。本発明では、高価なステッパを用いずにこの選択露光を行う簡易な露光装置も併せて提案する。
請求項（抜粋）：
基板上の被エッチング材料層をエッチング・マスクを介してエッチングする際にエッチング終点の検出を行う半導体装置の製造方法において、エッチングに先立ち、前記基板上のチップ取得領域の外周側を占める無効領域上で前記エッチング・マスクの少なくとも一部を除去することにより、前記被エッチング材料層を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
