半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180703
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027844
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】半導体装置に関し、構成に極簡単な改変を加え、また、材料を適切に選択することで、Cu配線を形成する場合に発生する各所に於ける浸食の防止、配線容量の低下、Cuの拡散防止などを達成し、Cu配線の信頼性を高めようとする。【解決手段】配線溝38Aの形成時に於けるエッチング停止及びフォト・リソグラフィ工程に於ける全反射防止及びSOG膜38の保護の役割を果たす為にSOG膜38上に形成され且つ最終的に層間絶縁膜の一部をなすSiN膜39を備える。

請求項（抜粋）：

配線溝形成時に於けるエッチング停止及びフォト・リソグラフィ工程に於ける全反射防止及び層間絶縁膜保護の役割を果たす為に層間絶縁膜上に形成され且つ最終的に層間絶縁膜の一部をなすSiN膜を備えてなることを特徴とする半導体装置。

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