特許

J-GLOBAL ID：200903090226240220

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 阿高 三郎 ,  折付 良二 ,  堀井 寿一 ,  村松 文雄 ,  竹田 智彦 ,  亀田 賢治
出願人/特許権者： 国際電気株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182023
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135319
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタに於いて成膜速度増大を図りつつ特性の劣化を防止する。【構成】薄膜トランジスタに於いて、活性層であるアモルファスシリコン層が低速生成膜9と高速生成膜4を含み、ゲート絶縁膜との界面特性を改善し、膜生成速度を増大させつつ薄膜トランジスタ特性の劣化を防止する。

請求項（抜粋）：

活性層であるアモルファスシリコン層が低速生成膜と高速生成膜を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 Y