特許
J-GLOBAL ID:200903090226476401
プラズマ処理用ガス導入装置およびプラズマ処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
穂上 照忠 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-247483
公開番号(公開出願番号):特開2002-064084
出願日: 2000年08月17日
公開日(公表日): 2002年02月28日
要約:
【要約】【課題】基板のエッチング処理または基板への薄膜形成の際に、基板面内の処理速度を均一化することができるプラズマ処理用のガス導入装置およびプラズマ処理方法の提供。【解決手段】ガス導入装置の上部電極2に、開口部8が基板支持台に対面し隔壁8で隔てられた少なくとも2系統のガス導入系が設けられ、それぞれの導入系は、開口部が基板支持台の中心部に対応する位置から放射状に配置された複数の開口部列で構成されており、かつ少なくとも一方のガス導入系の開口部列は、開口部の面積が中心部から外側に向けて増加しているガス導入装置およびこのガス導入装置を用いるプラズマ処理方法。
請求項(抜粋):
開口部が基板支持台に対面する少なくとも2系統のガス導入系を備え、それぞれの導入系は、開口部が基板支持台の中心部に対応する位置から放射状に配置された複数の開口部列で構成されており、かつ少なくとも一方のガス導入系の開口部列は、開口部の面積が中心部から外側に向けて増加しているとともに、それぞれのガス導入系は、ガス流量および/またはガス組成の調整手段を備えることを特徴とするプラズマ処理用ガス導入装置。
IPC (4件):
H01L 21/3065
, C23C 16/455
, C23F 4/00
, H01L 21/205
FI (4件):
C23C 16/455
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
Fターム (44件):
4K030AA03
, 4K030AA06
, 4K030AA16
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA04
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030FA01
, 4K030KA17
, 4K030KA30
, 4K057DA16
, 4K057DB06
, 4K057DD01
, 4K057DE06
, 4K057DE07
, 4K057DE08
, 4K057DE14
, 4K057DM03
, 4K057DM06
, 4K057DM37
, 4K057DN01
, 5F004AA01
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BB28
, 5F004BC08
, 5F004DA01
, 5F004DA02
, 5F004DA15
, 5F004DA22
, 5F004DB01
, 5F045AA08
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AC17
, 5F045BB02
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EF05
, 5F045EH05
, 5F045EH14
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