特許

J-GLOBAL ID：200903090228281179

半導体圧力センサ

発明者： 高木 豊
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 佐藤 祐介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331675
公開番号（公開出願番号）：特開平8-159905
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】 簡単な構造でコストもかからず、かつ圧力センサとしての特性も犠牲にすることがないようにしながら、外部からの過大な圧力に対してダイアフラム部の破壊を有効に防ぐよう改善する。【構成】 半導体圧力センサ素子1と、これが取り付けられている台座2と、半導体圧力センサ素子1及び台座2を収納するハウジング3と、ハウジング3に取り付けられた圧力導入口4、5と、圧力導入口5の側壁に設けられたリーク弁6とから構成される。リーク弁6は、板ばね9の自由端に固定された弁体8を、圧力導入口5の側壁に設けられた開口7に押しつけることにより、この開口7を弾性的にふさぐという構成となっている。

請求項（抜粋）：

半導体圧力センサ素子と、該半導体圧力センサ素子に圧力を導く圧力導入部材と、該圧力導入部材に設けられた過大圧力に応じて開くリーク弁とを備えることを特徴とする半導体圧力センサ。