特許

J-GLOBAL ID：200903090229826799

半導体ICのコンタクト構造

発明者： 水田 正治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 村上 啓吾 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-322180
公開番号（公開出願番号）：特開2002-131376
出願日： 2000年10月23日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：

【要約】【課題】 従来よりも信号経路が短くて高周波特性の検査に適し、また安価に製作することができ、しかも、半田ボールとの接触状態を常に良好に保つことができ、さらに半田ボールの配列ピッチが微細なものでも十分に対応することができる半導体ICのコンタクト構造を提供する。【解決手段】 半導体IC1の接続電極としての半田ボール2を検査回路基板3上に形成されたランドパターン4に電気的に接続する構造であって、検査回路基板3のランドパターン4上には、半田ボール2に個別に対応して接触子5が設けられており、各接触子5は、ワイヤがランドパターン4上の複数箇所をフープ状に迂回した状態で順次連結しつつ周回しかつその迂回部分がランドパターン4から傾斜して浮き上がるように形成されてなる輪ばねからなり、これらの各接触子5に対して半田ボール2が圧接されている。

請求項（抜粋）：

接続電極として半田ボールを備えた半導体ICの半田ボールを、検査回路基板上に形成されたランドパターンに電気的に接続するための構造であって、前記検査回路基板のランドパターン上には、前記半田ボールに個別に対応して接触子が設けられており、各接触子は、ワイヤがランドパターン上の複数箇所を順次フープ状に迂回した状態で連結しつつ周回し、かつその迂回部分がランドパターンから傾斜して浮き上がるように形成されてなる輪ばねからなり、これらの各接触子に対して前記半田ボールが圧接されていることを特徴とする半導体ICのコンタクト構造。

IPC (3件)：

G01R 31/26 ,  G01R 1/073 ,  H01R 33/76 505

FI (3件)：

G01R 31/26 J ,  G01R 1/073 B ,  H01R 33/76 505 A

Fターム (16件)：

2G003AA07 ,  2G003AG03 ,  2G003AG08 ,  2G003AG12 ,  2G003AH05 ,  2G003AH09 ,  2G011AA05 ,  2G011AA15 ,  2G011AB01 ,  2G011AB08 ,  2G011AC06 ,  2G011AC14 ,  2G011AE03 ,  2G011AF01 ,  5E024CA18 ,  5E024CB01