特許

J-GLOBAL ID：200903090230146378

メモリ構造

発明者： ピーター・フリッケ ,  アンドリュー・コール ,  アンドリュー・エル・ヴァン・ブロックリン
出願人/特許権者： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-172894
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031953
出願日： 2003年06月18日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】低コストで大容量の記憶機構を達成するメモリ構造を提供する。【解決手段】本発明のメモリ構造は、制御素子電極(35)と、ヒータ電極(39)と、メモリ素子電極(33)と、メモリ素子電極とヒータ電極の間に配置されているカルコゲナイド系メモリ素子(23)と、ヒータ電極と制御素子電極の間に配置されている制御素子(25)とからなることを特徴とする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

制御素子電極(35)と、 ヒータ電極(39)と メモリ素子電極(33)と、 前記メモリ素子電極と前記ヒータ電極の間に配置されているカルコゲナイド系メモリ素子(23)と、 前記ヒータ電極と前記制御素子電極の間に配置されている制御素子(25)とからなるメモリ構造。

IPC (1件)：

H01L27/10

FI (1件)：

H01L27/10 421

Fターム (7件)：

5F083CR15 ,  5F083JA33 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083ZA23