特許
J-GLOBAL ID：200903090231964503
薄膜磁気ヘッド製造プロセスにおけるめっき方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-192315
公開番号（公開出願番号）：特開平8-036711
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 基板周縁の所定部位(例えばアライメント・マーカ近傍)のめっき厚及びめっき膜組成を制御し、基板全面にわたって均一にすることができる薄膜磁気ヘッド製造プロセスにおけるめっき方法を提供すること【構成】 レジストがパターン形成されている基板1の表面に電解めっき法により成膜するにあたり、基板表面の周縁部の上方外側を適宜な隙間をおいて取り囲むようにリング状の補助電極8を配置して前記周縁部にイオン流が過剰に集中するのを防止するとともに、基板表面の周縁部近くで、膜厚が部分的に厚くなる至近周辺部分がイオン流に対して陰になるように遮蔽板9を配置して、位置決めマーカー用レジスト4の至近周辺部分のめっき付着量を適宜に抑制する。
請求項（抜粋）：
レジストがパターン形成されている基板表面に電解めっき法により成膜するに際し、前記基板表面の周縁部の上方外側を適宜な隙間をおいて取り囲むようにリング状の補助電極を配置して前記周縁部にめっき電流が過剰に集中するのを防止するようにしためっき方法において、前記基板表面の周縁部所定位置に、イオン流に対して陰になるように遮蔽板を配置して、その遮蔽板に対向する部分周辺のめっき付着量及びめっき膜組成を適宜に抑制することを特徴とする薄膜磁気ヘッド製造プロセスにおけるめっき方法。
IPC (3件)：
G11B 5/31
, C25D 7/00
, H05K 3/18
