特許

J-GLOBAL ID：200903090232833569

薄膜熱電変換素子及びそれを用いた半導体デバイス及びそれを用いたプリント基板

発明者： 山嵜 一郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-105557
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303469
出願日： 1997年04月23日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、低温端と高温端との温度差を有効に取ることができる、熱電薄膜を用いた薄膜熱電素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板2上に設けられた複数の凸部3の表面に形成されたP型熱電薄膜4とN型熱電薄膜5とが互いに隣合うよう接合されており、その接合部6a,6bは前記基板2における凸部3の頂部及び前記凸部3の狭間に設けられている。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた複数の凸部の表面に形成されたP型熱電薄膜とN型熱電薄膜とが互いに隣合うよう接合されており、その接合部は前記基板における凸部の頂部及び前記凸部の狭間に設けられていることを特徴とする薄膜熱電変換素子。