特許

J-GLOBAL ID：200903090235086209

二フッ化キセノンを用いた窒化チタンの選択的エッチング

発明者： ディンジュン ウー ,  ユージーン ジョセフ カーワッキ,ジュニア
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  出野 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-314452
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150305
出願日： 2006年11月21日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】半導体堆積チャンバーの機器及び用具において通常見出される二酸化ケイ素(石英)及びSiN表面からTiNを選択的にエッチングするための改良された方法を提供する。【解決手段】その上にTiNを有するSiO2又はSiN表面をXeF2と接触領域において接触させてTiNを揮発性種に選択的に転化し、次いで、該揮発性種を前記接触領域から除去する。XeF2は前もって形成することができるか又はXeとフッ素化合物との反応によってその場形成することができる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

二酸化ケイ素又は窒化ケイ素を有する表面を二フッ化キセノンから構成されるエッチング剤ガスと接触領域において接触させ、該二酸化ケイ素又は窒化ケイ素が揮発性成分に転化されるのに優先して窒化チタンを揮発性種に選択的に転化する工程、及び 該揮発性種を前記接触領域から除去する工程 を含む、二酸化ケイ素又は窒化ケイ素を有する表面から窒化チタンを選択的にエッチングするための方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L21/302 101H ,  H01L21/302 301S ,  H01L21/302 301N ,  H01L21/31 B

Fターム (18件)：

5F004AA02 ,  5F004AA15 ,  5F004BB29 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA19 ,  5F004DA23 ,  5F004DB12 ,  5F045AB40 ,  5F045AC02 ,  5F045AC16 ,  5F045EB06 ,  5F045EH18

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第5,421,957号明細書
  
• 米国特許第6,051,052号明細書
  
• 米国特許出願公開第2003/0047691号明細書
  
• 英国特許出願公開第2,183,204号明細書