特許
J-GLOBAL ID：200903090235550797
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-298667
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136177
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 機械的に安定で低抵抗のゲート電極を有し、しかも表面準位に伴う特性変動が大幅に抑制された高性能な電界効果型トランジスタとその製造方法を提供する。【構成】 半絶縁性等の基板1上に、アンドープの半導体層2,チャネル層3,更に表面保護用の低不純物密度の半導体層6を順次結晶成長する。次に、低抵抗層3を選択結晶成長法等の方法で形成し、オーミック電極5を形成する。ゲート電極7は、ゲート抵抗の低減の為に、例えばT字型にし、半導体層6と接触して形成する。ゲート電極7とオーミック電極5間のチャネル層3は、界面特性の優れた半導体層6で保護されている。
請求項（抜粋）：
チャネル上方に設置されたゲート制御電極がチャネル外部の領域で低不純物密度で高抵抗の半導体層と接触していることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/50
