特許
J-GLOBAL ID：200903090237635609
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225833
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067581
出願日： 1991年09月05日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 残留ダメージを消失させ、変成層の形成を防ぎ、歩留り向上、ばらつきを激減させる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 イオン注入等を行なった半導体基板を熱処理する時、少なくとも3ステップの温度領域で行なうものである。すなわち第1ステップでダメージ層を回復させ、第2ステップで結晶の再配列、第3ステップで再配列された結晶の転位を安定させるものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一表面を連続して少なくとも3ステップの温度で熱処理する工程を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265
, H01L 21/324
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 21/265 C
, H01L 29/80 B
