特許
J-GLOBAL ID：200903090237641986
樹脂封止半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227914
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251589
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 樹脂封止されたタブ製品に発生する問題点、即ち、樹脂が銅箔上を流れコンタクト不良を引き起こしたり、封止樹脂の膜厚の不均一、インナーリードの被覆不良、クラックの発生等の問題点を解決する。【構成】 エポキシ樹脂コンポジット成分を、アルコキシ基を含むシラン系化合物によって変性された変成ビスフェノール型エポキシ樹脂と、フェノールノボラック樹脂と、カルボニル変性シリコーン化合物および/またはアミン変性シリコーン化合物によって変性された変成ビスフェノール型エポキシ樹脂と、シランカップリング剤と、球状フィラーと、顔料と、有機溶剤とを含むものとする。球状シリカを70重量%以上含ませる。このコンポジットによりタブ製品を封止する。
請求項（抜粋）：
エポキシ樹脂コンポジットを用いた樹脂封止半導体装置において、エポキシ樹脂コンポジットの成分は、(1)アルコキシ基を含むシラン系化合物によって変性された変性ビスフェノール型エポキシ樹脂と、(2)フェノールノボラック樹脂と、(3)カルボニル変性シリコーン化合物および/またはアミン変性シリコーン化合物によって変性された変性ビスフェノール型エポキシ樹脂と、(4)シランカップリング剤と、(5)球状フィラーと、(6)顔料と、(7)有機溶剤と、を含むことを特徴とする樹脂封止半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/14 NHB
, C08G 59/62 NTS
, C08K 3/36 NKX
, C08K 5/05 NKZ
, C08K 5/54 NLC
, C08L 63/00 NJW
