プラズマ処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196097
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021393
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】プラズマCVDやプラズマエッチングにおいて、大面積での成膜やエッチングを可能とし、同時にプラズマのダメージを低減する。【構成】プラズマ発生室22と基板処理室21の境界に複数の孔4を配列させてメッシュプレート1を置く。このメッシュプレート1は上部電極11との間に与えられる高周波電界によりプラズマを発生させる。このメッシュプレート1によって、発生したプラズマは各孔4に分散することになり、同時に基板処理室21の底部にまで引き出されなくなる。ガス供給口2が各孔4の近傍に臨むことから、孔4の近傍で反応がなされることになり、その結果、プラズマのダメージが低減され、大面積で均一な処理が行われる。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生室と基板処理室の間に複数の孔が設けられたプラズマ分離用のメッシュプレートを有し、該メッシュプレートの孔の近傍にガス供給口が設けられることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , C23C 16/50 , H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭53-091664
特開昭61-272386
特開昭60-160620

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