特許
J-GLOBAL ID：200903090246279254
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211054
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055244
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 LDD構造をしたNチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン部の接合破壊電圧を低くすることで、外部より過度の電圧パルスが入った際、ゲート酸化膜が破壊される前にドレイン部の接合破壊で電流を分散することで、半導体装置自体を保護し、半導体装置自体が破壊に至る電圧を向上する。【構成】 LDD構造をしたNチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン部で、N- 部4はリン7を不純物としてゲート電極1の近傍のみに形成され、N+ 部5は砒素6のみの不純物で形成される。よって、N+ 部5とP- 部8との接合破壊電圧を低くすることができ、ドレイン部の接合破壊電圧は低くなる。
請求項（抜粋）：
LDD構造をしたNチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン部内のN+ 部を砒素だけの不純物で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
