特許

J-GLOBAL ID：200903090246726803

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者： 西 恒寛 ,  金生 剛 ,  長谷川 幸士 ,  渡邊 聡 ,  名倉 茂広
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-277156
公開番号（公開出願番号）：特開2003-084438
出願日： 2001年09月12日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【課題】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位と下記一般式(2)で示される繰り返し単位とを含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1、R3は水素原子又はメチル基を示す。R2、R4は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R5、R6、R7、R8は水素原子又はR5とR7、R6とR8でトリメチレンもしくは1,3-シクロペンチレンを形成する原子団を示す。)【解決手段】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位と下記一般式(2)で示される繰り返し単位とを含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1、R3は水素原子又はメチル基を示す。R2、R4は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R5、R6、R7、R8は水素原子又はR5とR7、R6とR8でトリメチレンもしくは1,3-シクロペンチレンを形成する原子団を示す。)

IPC (3件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/18 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/18 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (25件)：

2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA11R ,  4J100BA15R ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC58R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38