特許

J-GLOBAL ID：200903090247636522

薄膜電場発光素子の製造方法

発明者： 辻 崇
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-300857
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148070
出願日： 1995年11月20日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】耐熱性の低い汎用のガラス基板上に成膜した発光層の発光輝度を高めるために結晶粒径を拡大する。【解決手段】電子ビーム蒸着などで成膜した硫化物蛍光体発光層にエキシマレーザ光をステップ・アンド・リピート方式が照射してレーザアニールする。これにより、基板温度を600°C以下に抑えて結晶粒径を1けた大きくすることができる。

請求項（抜粋）：

硫化物蛍光体よりなる発光層を有する薄膜電場発光素子の製造方法において、発光層成膜後、光照射によってアニールする工程を含むことを特徴とする薄膜電場発光素子の製造方法。