特許

J-GLOBAL ID：200903090250785601

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 本名 幸一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223307
公開番号（公開出願番号）：特開2003-036692
出願日： 2001年07月24日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 効率の良い冗長構成によりフラッシュメモリセルの使用効率を向上させた一括消去型の不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 セルブロック114a内の情報を記憶するために、メモリセルアレイ103内に消去ブロック単位で少なくとも1つ設けられた冗長置換用ブロック115と、不良セルブロックのアドレスを記憶するための冗長アドレス記憶部104と、セルブロックおよび冗長置換え記憶部から読み出したデータ、および冗長アドレス記憶部からの不良セルブロックのアドレスに基づき、不良セルブロックのデータを冗長置換え記憶部内に記憶されている情報と置換制御する置換制御部110とを設けた。

請求項（抜粋）：

ワード線とビット線とによって動作電圧が設定されるメモリセルアレイからなり、前記メモリセルアレイが消去ブロック毎に分割された一括消去可能な不揮発性半導体記憶装置であって、データを記憶するためのセルブロックと、前記セルブロック内の情報を記憶するために、前記メモリセルアレイ内に前記消去ブロック単位で少なくとも1つ設けられた冗長置換え記憶部と、前記セルブロックのうちの不良セルブロックのアドレスを記憶するための冗長アドレス記憶部と、前記セルブロックおよび前記冗長置換え記憶部から読み出したデータ、および前記冗長アドレス記憶部からの前記不良セルブロックのアドレスに基づき、前記不良セルブロックのデータを前記冗長置換え記憶部内に記憶されている情報と置換制御する置換制御部とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 603 ,  G11C 16/06

FI (2件)：

G11C 29/00 603 Z ,  G11C 17/00 639 Z

Fターム (9件)：

5B025AD01 ,  5B025AD05 ,  5B025AD13 ,  5B025AE00 ,  5L106AA10 ,  5L106CC04 ,  5L106CC09 ,  5L106CC16 ,  5L106GG01