特許

J-GLOBAL ID：200903090251699830

半導体作製方法および薄膜トランジスタ作製方法

発明者： 小堀 勇
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-278284
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249574
出願日： 1994年10月18日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタのチャネル領域などの半導体デバイスの構成材料として使用が可能な単結晶シリコン薄膜を得る。【構成】 絶縁表面を有する基板上に、アモルファスシリコン膜を変成し3〜5μm角程度のほぼ単結晶構造を有する島状領域を形成し、それを結晶核としてその上にアモルファスシリコン薄膜を設けて固相成長させることによって、10〜100μm角程度の大きな粒径を有する単結晶シリコン薄膜を得る。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、単結晶またはほぼ単結晶のシリコンよりなる種結晶を配置し、該種結晶を覆ってアモルファスシリコン薄膜を形成し、該種結晶を結晶成長の核として、前記アモルファスシリコン薄膜を加熱処理により結晶化させること、を特徴とする半導体作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 29/78 311 Y