特許

J-GLOBAL ID：200903090254856139

半導体レーザ装置,及びその製造方法

発明者： 藤井 就亮 ,  越智 誠司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-122909
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316569
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 上クラッド層での有効な横方向の電流閉じ込めが実現され、そのレーザ特性が改善された半導体レーザ装置,及びその製造方法を提供する。【構成】 n型GaAs基板1の表面は(100)面となっており、上クラッド層のストライプ形状のリッジ部100は[011]方向に伸びている。また、上クラッド層5を構成するp型Ga0.5 In0.5 P自然超格子層は、Gaの(11/1)面とInの(11/1)面が交互に並んだ構造,もしくはGaの(1/11)面とInの(1/11)面が交互に並んだ構造を有している。【効果】 上クラッド層5のリッジ部100以外の部分において、横方向([0/11],[01/1]方向)は、上記GaInP自然超格子層の超格子面と交差する方向となり、この方向の電流の流れは抑制されるため、閾値電流の低減等レーザ特性の向上を実現することができる。

請求項（抜粋）：

活性層、該活性層上の全面に設けられ、その中央にストライプ状の上方に突出したリッジ部を有する上クラッド層、及び該リッジ部の両側方の該上クラッド層上に該リッジ部の側面に接するように設けられた電流ブロック層を含む複数の半導体層を備えた半導体レーザ装置において、上記上クラッド層の少なくとも上記活性層と接する部分は、その超格子面が上記活性層と上記上クラッド層の界面に対して平行でない自然超格子層であり、上記上クラッド層のストライプ状のリッジ部が伸びる方向は、上記自然超格子層の超格子面、及び上記活性層と上記上クラッド層との界面の双方に垂直な平面に対して平行でないことを特徴とする半導体レーザ装置。