半導体放射線検出器の劣化異常検出装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：三谷惠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-097572
公開番号（公開出願番号）：特開2005-283327
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】温度変化による誤認を起こさずに、半導体放射線検出器の異常診断を適正に行うことができる半導体放射線検出器の劣化異常検出装置を提供することである。【解決手段】発振器17からの電磁波パルスの照射により半導体放射線検出器11からパルス波高値の波高分布を波高弁別部21で取得する。また、半導体放射線検出器11のバイアス電圧の異常をバイアス電圧異常検出手段15で検出し、半導体放射線検出器の検出信号を増幅する増幅器への供給電源電圧の異常を供給電源異常検出手段24で検出する。波高分布分析手段16は、バイアス電圧及び供給電源電圧が正常で、波高弁別部21からの波高分布が正常範囲を逸脱しているときは、波高分布に基づいて半導体放射線検出器の温度を求め、その温度に対する補正した波高分布が所定範囲を逸脱しているときは、半導体放射線検出器の半導体結晶の劣化または異常であると判別する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体放射線検出器に電磁波パルスを入力する発振器と、前記半導体放射線検出器のバイアス電圧が異常となったことを検出するバイアス電圧異常検出手段と、前記半導体放射線検出器の検出信号を増幅する増幅器への供給電源電圧が異常となったことを検出する供給電源異常検出手段と、前記発振器から電磁波パルスが照射されたことにより前記半導体放射線検出器から出力されるパルス波高値の波高分布を取得する波高弁別部と、前記バイアス電圧及び前記供給電源電圧が正常で前記波高弁別部からの波高分布が正常範囲を逸脱しているときは前記波高分布に基づいて前記半導体放射線検出器の温度を求めその温度に対する補正した波高分布が所定範囲を逸脱しているときは前記半導体放射線検出器の半導体結晶の劣化または異常であると判別する波高分布分析手段とを備えたことを特徴とする半導体放射線検出器の劣化異常検出装置。

IPC (3件)：

G01T1/24 , G01T7/00 , H01L31/09

FI (3件)：

G01T1/24 , G01T7/00 C , H01L31/00 A

Fターム (12件)：

2G088EE08 , 2G088EE12 , 2G088EE21 , 2G088GG21 , 2G088JJ27 , 2G088KK01 , 2G088LL21 , 2G088LL26 , 5F088BA20 , 5F088BB06 , 5F088BB10 , 5F088LA07

引用特許：

出願人引用 (1件)

特公平6-72930号公報(第1図、第2図)

審査官引用 (4件)

特開平4-168395
特開平2-128184
特開昭62-245177

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引用文献：

審査官引用 (2件)

放射線計測ハンドブック, 20010327, 第3版, pp.513-516
放射線計測の理論と演習上巻基礎編, 20030715, 第2版, pp.257-258

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