特許

J-GLOBAL ID：200903090260075408

半導体装置及びその製造方法

発明者： 正田 昌宏
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-050107
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182958
出願日： 1991年02月25日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 選択酸化分離におけるバーズビーク量を最小限におさえ、半導体集積回路チップ全体として微細化・高集積化を図る。【構成】 単一の半導体基板8上に複数の素子が形成されており、各素子は選択酸化分離領域1,2で電気的に分離されている。図1左側の第1の部位では、基板8と逆導電型不純物拡散領域4の濃度が高く、高い分離特性が要求されるので、第1の選択酸化分離領域1の酸化膜厚は厚くなっている。一方、図1右側の第2の部位では、基板8と逆導電型不純物拡散領域5の濃度が低く、第2の選択酸化分離領域2の酸化膜厚は第1の選択酸化分離領域1より薄くなっており、バーズビーク量が小さくなっている。

請求項（抜粋）：

単一の半導体基板と、該半導体基板上に形成された複数の素子と、該素子を電気的に分離する複数の選択酸化分離領域とを有する半導体装置において、前記選択酸化分離領域の酸化膜厚が、少なくとも2種類以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-008350
  
• 特開昭62-105444
  
• 特開平1-274457