特許

J-GLOBAL ID：200903090262103964

半導体記憶装置

発明者： 桑原 愼一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121349
公開番号（公開出願番号）：特開平5-298884
出願日： 1992年04月15日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体記憶装置において、低電圧化に伴う、メモリセルの蓄積電荷量の減少及び、センスアンプ回路に伝達される信号量の減少を防ぐことを目的とする。【構成】 メモリセルアレイ回路と、電源端子間に、内部電源電圧発生回路Eを入れることにより、メモリセル内には、外部電源電位(VCC)以上の電位(VCCH)により、書き込まれるので、セル内の蓄積電荷量QS(=CS・VCCH)を大きくすることができる。その結果、外部電源の低電圧化に伴うメモリセルの蓄積電荷量の減少及びセンスアンプ回路に伝達される信号量の減少を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

メモリセル駆動回路をもつメモリセルアレイ回路と、昇圧手段とを含む半導体記憶装置であって、昇圧手段は、外部電源端子に供給される外部電源電位よりも高い電位を発生するものであり、メモリセルアレイ回路と外部電源端子との間に接続されたものであることを特徴とする半導体記憶装置。