特許

J-GLOBAL ID：200903090262183739

薄膜半導体装置とその製法

発明者： 入野田 貢 ,  大高 剛一 ,  日野 威 ,  佐藤 幸人
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
代理人 (1件)： 友松 英爾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-198781
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021342
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、帯域溶融再結晶化法により再結晶化された薄膜半導体装置を製造するにあたり、溶融部を固体層との界面のゆらぎ、および溶融部の固化時に発生するビードアップ現象を防止する点にある。【構成】 絶縁性基板上に、再結晶化された半導体薄膜が多数のストライプ状に設けられており、該ストライプとストライプの間隔は50μm以下、該ストライプの幅は300μm以下であることを特徴とする薄膜半導体装置。

請求項（抜粋）：

基板上に、再結晶化された半導体薄膜が多数のストライプ状に設けられており、該ストライプとストライプの間隔は50μm以下、該ストライプの幅は300μm以下であることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/208 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/268