特許
J-GLOBAL ID：200903090264207597
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-197646
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030225
出願日： 1998年07月13日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 SV-GMR素子の交換結合磁界強度を向上させ、磁気抵抗変化率を向上させ、さらに耐熱安定性を向上させ得る、再生出力並びにS/N比に優れた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 SV-GMR素子4を備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、SV-GMR素子4の固定層44と反強磁性層46との間にバッファ層45を備える。バッファ層45は固定層44と反強磁性層46との双方の中間の結晶格子定数を有し双方の結晶格子を整合し、かつ双方の結晶性を確保する。固定層44にはCoFe膜、反強磁性層46にはIrMn膜がそれぞれ使用され、バッファ層45には1乃至3原子層数のFeMn膜が使用される。
請求項（抜粋）：
基板上に自由層としての第1磁性層、非磁性導電層、固定層としての第2磁性層、反強磁性層の各層を積層してなるスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記スピンバルブ巨大磁気抵抗効果素子の第2磁性層と反強磁性層との間に、双方の中間の結晶格子定数を有し双方の結晶格子を整合し、かつ前記第2磁性層、反強磁性層のそれぞれの結晶性を確保するバッファ層を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Fターム (3件)：
5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034CA03
