特許

J-GLOBAL ID：200903090272985302

薄膜加熱素子

発明者： トーピー,キース,マリオ ,  ゲーリグ,デビッド,エム.
出願人/特許権者： イーメイル リミテッド
代理人 (1件)： 飯田 伸行
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571716
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525829
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、10〜20W/cm2の出力密度及び/又は最 高650°Cまでの温度に耐え得る薄膜加熱素子を提供することである。【解決手段】 セリウムおよびランタンを含有するモノブチルスズトリクロリド溶液の熱分解により絶縁基体上に、比較的多量のこれら希土類元素をドーピングした酸化スズの層を形成した加熱素子である。この溶液および次の酸化物層は、加熱素子の導線性を高めるためにアンチモン、亜鉛などの供与体元素および受容体元素を含有する。

請求項（抜粋）：

電気絶縁基体上に導電性金属酸化物の層を有する薄膜電気加熱素子において、この金属酸化物層に少なくとも1種類の希土類元素をドーピングした薄膜電気加熱素子。

IPC (2件)：

H05B 3/14 ,  H05B 3/20 311

FI (2件)：

H05B 3/14 B ,  H05B 3/20 311

Fターム (20件)：

3K034AA03 ,  3K034AA15 ,  3K034BA05 ,  3K034BA06 ,  3K034BB05 ,  3K034BB06 ,  3K034BC12 ,  3K034CA17 ,  3K034HA02 ,  3K034HA03 ,  3K034HA10 ,  3K034JA01 ,  3K034JA10 ,  3K092PP06 ,  3K092PP20 ,  3K092QA02 ,  3K092QA05 ,  3K092QB25 ,  3K092QB30 ,  3K092VV40