特許
J-GLOBAL ID:200903090276955815

多結晶シリコンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-255872
公開番号(公開出願番号):特開平6-080412
出願日: 1992年08月31日
公開日(公表日): 1994年03月22日
要約:
【要約】【目的】流動層法により多結晶シリコンを製造するに際して、反応器内壁へのシリコン析出を防止でき、加熱エネルギーのロスが少なく、製品の多結晶シリコンの品質を向上させることができる方法を提供する。【構成】流動層法により多結晶シリコンを製造するに際し、粒子状熱媒体の流動層を有する予熱器により、希釈ガス又は流動層反応器からの排ガスの全部若くは一部を反応温度以上に予熱して、流動層反応器に供給する方法。前記方法において、流動層反応器で製造した加熱状態にある多結晶シリコンを予熱器に供給して流動化された熱媒体として使用し、希釈ガス又は流動層反応器からの排ガスの全部若くは一部を流動層を有する予熱器により反応温度以上に予熱すると同時に、多結晶シリコン表面に付着する微粉及び含有水素を除去する方法。
請求項(抜粋):
流動層法により多結晶シリコンを製造するに際し、粒子状熱媒体の流動層を有する予熱器により希釈ガスの全部若しくは一部を反応温度以上に予熱して流動層反応器に供給することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
IPC (2件):
C01B 33/02 ,  C01B 33/029

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