特許
J-GLOBAL ID：200903090280156676
シリコンウェーハとその製造方法および品質評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-002826
公開番号（公開出願番号）：特開平7-206591
出願日： 1994年01月14日
公開日（公表日）： 1995年08月08日
要約：
【要約】【目的】 集積度の高い高集積回路を高い歩留りで製造するために好適なシリコンウェーハを提供することを目的とする。【構成】 CZ法によってシリコン単結晶が引き上げられ、この単結晶をスライシング、ラッピング、エッチングした後、鏡面研磨して作製するシリコンウェーハにおいて、凝固後のシリコン単結晶の冷却速度をコントロールすることにより、アンモニア系洗浄したときに表面にできるエッチピットのサイズ分布が、(0.13μm以上のピット総数)/(0.11μm以上のピット総数)>0.3を満たすようにする。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によってシリコン単結晶が引き上げられ、この単結晶をスライシング、ラッピング、エッチングした後、鏡面研磨して作成するシリコンウェーハにおいて、上記シリコンウェーハをアンモニア系洗浄したとき、シリコンウェーハの表面にできるエッチピットのサイズ分布が、(0.13μm以上のピット総数)/(0.11μm以上のピット総数)>0.3を満たすことを特徴とするシリコンウェーハ。
IPC (5件)：
C30B 29/06
, C30B 29/06 502
, C30B 15/00
, H01L 21/66
, C30B 15/14
