ショットキーバリア半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298119
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120480
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】アノード電極と半導体導電層との間に絶縁性ないし高抵抗の緩衝膜を設けたショットキーバリア半導体装置を合理的に製作する。【構成】 n+-GaAs層2aの上に形成されたn--GaAs層2bの表面にオーミック接触金属膜4をパターニングし、このオーミック接触金属膜4をマスクとしてn--GaAs層2bをエッチングして突起部3を作製する。オーミック接触金属膜4の上からn--GaAs層の表面全体に緩衝膜8を形成し、緩衝膜8の上にエッチング調整層9を形成して表面を平坦化する。緩衝膜8及びエッチング調整層9を1:1のエッチング比でエッチングし、突起部3以外の領域の底面にのみ緩衝膜8を残す。この後、n--GaAs層2bの突起部3を含む領域にショットキー接触金属膜5を付着させてアノード電極6を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体導電層の上に形成された低キャリア濃度層の表面にオーミック金属をパターニングしてオーミック接触領域を形成し、前記オーミック金属をマスクとして前記低キャリア濃度層をエッチングし、前記オーミック金属の下に突起部を作製し、前記オーミック金属の上方から前記低キャリア濃度層の表面全体に絶縁性ないし高抵抗の緩衝膜を形成し、前記緩衝膜の上に当該緩衝膜と1:1のエッチング比でエッチング可能なエッチング調整層を形成して当該エッチング調整層の表面を平坦化し、前記緩衝膜及び前記エッチング調整層を1:1のエッチング比でエッチングし、前記突起部以外の領域の底面にのみ前記緩衝膜が残った状態でエッチングを停止し、低キャリア濃度層の突起部を含む領域にショットキー金属を付着させてオーミック接触領域を含むアノード電極を形成することを特徴とするショットキーバリア半導体装置の製造方法。

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