特許
J-GLOBAL ID：200903090283341890
半導体発光装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 義人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-288299
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101070
出願日： 2001年09月21日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【構成】 半導体発光装置10は基板12を含み、基板12の表面には2つの電極14aおよび電極14bが形成される。たとえば、銀ペーストのような導電性の接着剤18によって、LEDチップ16の発光層16bが電極パッド16cを介して電極14aに接着(ダイボンディング)される。また、LEDチップ16のZnSe層16aと電極14bとが、インジウムワイヤのようなワイヤ20によって電気的に接続される。たとえば、超音波方式でワイヤボンディングされる。そして、LEDチップ16およびワイヤ20がエポキシ樹脂のような透光性樹脂22によって封止される。【効果】 LEDチップを導電性の接着剤で接着し、超音波方式でワイヤボンディングするので、半導体発光装置の製造時における熱管理が簡単であり、より安価に製造できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも発光層とZnSe層とが積層された半導体発光素子チップを2つの電極にボンディングした半導体発光装置において、導電性の接着剤を用いて一方の前記電極に前記発光層が接続されるように前記半導体発光素子チップをダイボンディングし、ボンディングワイヤを用いて他方の前記電極に前記ZnSe層が接続されるように前記半導体発光素子チップをワイヤボンディングし、そして前記半導体発光素子チップおよび前記ボンディングワイヤを透光性樹脂で封止するようにしたことを特徴とする、半導体発光装置。
FI (2件)：
H01L 33/00 D
, H01L 33/00 N
5F041AA37
, 5F041AA42
, 5F041CA43
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041DA02
, 5F041DA08
, 5F041DA18
, 5F041DA20
, 5F041DA44
, 5F041DB01
, 5F041DB09
