特許
J-GLOBAL ID：200903090296393163
太陽電池の製造方法およびその方法により製造される太陽電池
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-375570
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179239
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 パッシベーション効果および反射防止効果が優れる太陽電池の製造方法を提供する。また、パッシベーション膜や反射防止膜を低い温度で形成し、安価に製造することができる太陽電池の製造方法を提供する。さらに、簡略な工程で生産効率が高く、塗料を有効に利用できる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の太陽電池の製造方法は、導電型のシリコン基板の表層にシリコン基板と異なる導電型の不純物拡散領域を形成し、不純物拡散領域上にシリコン酸化物膜を形成することを特徴とする。本発明の他の太陽電池の製造方法は、シリコン酸化物膜上に少なくとも一層の反射防止膜を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
導電型のシリコン基板の表層に該シリコン基板と異なる導電型の不純物拡散領域を形成する太陽電池の製造方法において、前記不純物拡散領域上にシリコン化合物を含む塗料を塗布した後、乾燥し、焼成してシリコン酸化物膜を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
Fターム (7件)：
5F051AA02
, 5F051CB13
, 5F051CB20
, 5F051CB24
, 5F051DA03
, 5F051HA03
, 5F051HA20
