特許

J-GLOBAL ID：200903090300450843

半導体ウェーハのパターン形状評価システム

発明者： 宍戸 千絵 ,  高木 裕治 ,  田中 麻紀 ,  中垣 亮
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-015520
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228394
出願日： 2003年01月24日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】半導体プロセスにおいて、パターンを平面的さらには立体的に捉え、その形状を評価する方法がなかった。【解決手段】評価対象のパターンの位置をCADデータ上で決定する手段と、上記決定した位置の実パターンの電子線像を得るための画像取得手段と、上記電子線像から実パターンのエッジ部に相当するホワイトバンドを抽出する手段と、ホワイトバンドとCADデータを重ね合わせて、実パターンのトップ部の二次元形状およびボトム部の二次元形状を評価する手段を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

CADデータに従って半導体ウェーハ上に形成された実パターンの形状を評価するシステムであって、評価対象のパターンの位置をCADデータ上で決定する手段と、上記決定した位置の実パターンの電子線像を得るための画像取得手段と、上記電子線像から実パターンのエッジ部に相当するホワイトバンドを抽出する手段と、ホワイトバンドとCADデータを重ね合わせて、実パターンのトップ部の二次元形状およびボトム部の二次元形状を評価する手段を備えたことを特徴とする半導体ウェーハのパターン形状評価システム。

IPC (2件)：

H01L21/66 ,  G01B15/00

FI (2件)：

H01L21/66 J ,  G01B15/00 B

Fターム (18件)：

2F067AA16 ,  2F067AA54 ,  2F067BB04 ,  2F067BB12 ,  2F067BB27 ,  2F067CC17 ,  2F067HH06 ,  2F067JJ06 ,  2F067RR07 ,  2F067RR28 ,  2F067RR31 ,  2F067RR37 ,  2F067RR38 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB18 ,  4M106DJ20