特許
J-GLOBAL ID:200903090313785755
有機ELディスプレイパネル、およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鷲田 公一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-138691
公開番号(公開出願番号):特開2009-200062
出願日: 2009年06月09日
公開日(公表日): 2009年09月03日
要約:
【課題】膜厚が均一な機能層を有する有機ELディスプレイパネルを提供すること。【解決手段】基板上にマトリクス状に配置された有機EL素子を有する有機ELディスプレイパネルであって、前記基板上に形成された2以上の画素電極、前記画素電極上に形成された有機EL層、前記有機EL層の領域をライン状に規定する第1のバンク、前記第1のバンクで規定される領域を2以上の領域に分割する第2のバンク、および前記画素電極ごとに独立し、前記画素電極をドライブするTFT素子を有し、前記第2のバンクの基板からの高さは、前記第1のバンクの基板からの高さよりも低く、前記第1のバンクおよび第2のバンクはフッ素樹脂を含み、各バンクは厚さ方向に沿ってフッ素濃度の勾配を有し、各バンクの頂点におけるフッ素濃度は各バンクの底面におけるフッ素濃度よりも高い、有機ELディスプレイパネル。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上にマトリクス状に配置された有機EL素子を有する有機ELディスプレイパネルであって、
前記基板上に形成された2以上の画素電極、前記画素電極上に形成された有機EL層、前記有機EL層の領域をライン状に規定する第1のバンク、前記第1のバンクで規定される領域を2以上の領域に分割する第2のバンク、および前記画素電極ごとに独立し、前記画素電極をドライブするTFT素子を有し、
前記第2のバンクの基板からの高さは、前記第1のバンクの基板からの高さよりも低く、
前記第1のバンクおよび第2のバンクはフッ素樹脂を含み、各バンクは厚さ方向に沿ってフッ素濃度の勾配を有し、各バンクの頂点におけるフッ素濃度は各バンクの底面におけるフッ素濃度よりも高い、
有機ELディスプレイパネル。
IPC (3件):
H05B 33/22
, H05B 33/12
, H01L 51/50
FI (3件):
H05B33/22 Z
, H05B33/12 B
, H05B33/14 A
Fターム (8件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC45
, 3K107DD89
, 3K107DD96
, 3K107EE03
, 3K107FF15
, 3K107GG24
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