多核金属錯体を含むエレクトロルミネセンス系

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小田島平吉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-568923
公開番号（公開出願番号）：特表2002-524823
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2002年08月06日
要約：

【要約】本発明は、基板、陽極、エレクトロルミネセンス要素、及び陰極からなるエレクトロルミネセンス系に関する。2つの電極の少くとも1つは可視光領域において透明であり、且つエレクトロルミネセンス要素は正孔注入ゾーン、正孔輸送ゾーン、エレクトロルミネセンスゾーン、電子輸送ゾーン、及び電子注入ゾーンの1つまたはそれ以上のゾーンを上の順序で含んでなる。これらのゾーンの各々は他のゾーンの機能を果たしてもよい。本発明は、エレクトロルミネセンス要素が多核金属錯体を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板、陽極、エレクトロルミネセンス要素、及び陰極を含んでなり、但し2つの電極の少くとも1つが可視光領域において透明であり、且つエレクトロルミネセンス要素が正孔注入ゾーン、正孔輸送ゾーン、エレクトロルミネセンスゾーン、電子輸送ゾーン、及び電子注入ゾーンからなる群から選択される1つまたはそれ以上のゾーンを特定の順序で含んでなり、なお存在するゾーンの各々が言及した他のゾーンの機能を果たしてもよいエレクトロルミネセンス・アセンブリにおいて、エレクトロルミネセンス要素が多核金属錯体を含むことを特徴とする、該エレクトロルミネセンス・アセンブリ。

IPC (3件)：

H05B 33/22 , C09K 11/06 660 , H05B 33/14

FI (4件)：

H05B 33/22 D , H05B 33/22 B , C09K 11/06 660 , H05B 33/14 B

Fターム (9件)：

3K007AB02 , 3K007AB18 , 3K007CA05 , 3K007CB01 , 3K007CB03 , 3K007DA00 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01

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