特許

J-GLOBAL ID：200903090324286092

ITO焼結体及びその製造方法

発明者： 岸 俊人 ,  岡田 光生 ,  松井 滋 ,  明石 保
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社 ,  住友石炭鉱業株式会社
代理人 (1件)： 岩見谷 周志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186904
公開番号（公開出願番号）：特開平5-017201
出願日： 1991年07月01日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：

【要約】【構成】実質的にインジウム、スズ、および酸素から成り、相対密度が80重量%以上であるITO焼結体において、Sn凝集径が10μm 以下で、かつ平均結晶粒径が10μm 以下であるITO焼結体。そのITO焼結体を、インジウム酸化物およびスズ酸化物を含有する原料粉末の20重量%以上を衝撃圧縮処理後、粉砕し、得られた粉末を前記原料粉末の残分が存在する場合にはそれと再混合し、得られた処理粉末を加圧成形し、次いで酸化性雰囲気下中で焼結して製造する方法。【効果】本発明のITO焼結体は、スパッタリング用ターゲットとして使用すれば、スパッタリング中の異常放電現象が有効に抑制され、また基板加熱温度が200°C以下の低温であっても比抵抗が2×10-4Ω・cm以下の良質の透明導電膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

実質的にインジウム、スズおよび酸素から成り、相対密度が80%以上であるITO焼結体において、Sn凝集径が10μm 以下で、かつ平均結晶粒径が10μm 以下であることを特徴とするITO焼結体。

IPC (2件)：

C04B 35/00 ,  C23C 14/34