特許
J-GLOBAL ID：200903090324824078
半導体パッケージの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-192171
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041423
出願日： 1996年07月22日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 高価なメッキ処理工程を省略でき、又はメッキ処理工程とばり除去工程とを合理化して、低コストで、中空型パッケージを成形することのできる半導体パッケージの製造方法を提供すること。【解決手段】 基材Sの表面に金でなる第1金属層Gを形成し、第1金属層Gの外側表面にアルミニウムでなる第2金属層Lを形成したクラッド材Cを、リードフレームFに成型し、このリードフレームFに樹脂でなる凹型のパッケージ12を一体成形する。更に、このリードフレームFにパッケージ12が一体成形された全体10’をアルカリ溶液に漬け、パッケージ12から露出している第2金属層Lのみを除去し、水圧によって樹脂ばりbを除去して、第1の金属層Gを露出させる。その後、パッケージ12の上方に蓋11を設けて、中空型パッケージとする。
請求項（抜粋）：
金属材をリードフレームに成型し、該リードフレームに凹型のパッケージを一体成形し、蓋を用いて前記凹型のパッケージを中空型パッケージとした半導体パッケージの製造方法において、前記金属材が、基材の両表面に第1の金属層が形成され、該第1の金属層の外側表面に第2の金属層が形成されたクラッド材であり、該金属材を前記リードフレームに成型し、該リードフレームに前記凹型のパッケージを一体成形した後、前記第2の金属層のみを除去して、前記第1の金属層を露出させて、前記蓋を用いて前記凹型のパッケージを中空型パッケージとしたことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/08 A
, H01L 23/50 D
, H01L 23/50 J
