特許
J-GLOBAL ID：200903090332958520
半導体回路および半導体回路の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072625
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260597
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】応力等が外部から加えられることによって外部環境が変化しても出力特性に変化が生じることを抑制可能とするバンドギャップリファレンス回路を実現すること。【解決手段】電流ミラー比が所定値となる1対の半導体素子を有して構成されたバンドギャップリファレンス回路であって、前記半導体素子の主電流経路の方向が、半導体素子を形成する半導体結晶の面方向<110>(110はミラー指数を示す)となるように構成される半導体回路である。
請求項（抜粋）：
電流ミラー比が所定値となる1対の半導体素子を有し、定電圧を出力するように構成されたバンドギャップリファレンス回路であって、前記半導体素子の主電流経路の方向が、半導体素子を形成する半導体結晶の面方向<110>(110はミラー指数を示す)となるように構成されることを特徴とする半導体回路。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, G05F 3/30
