特許

J-GLOBAL ID：200903090338160563

半導体装置およびその製造法

発明者： 鬼頭 孝之
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 曽々木 太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143349
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315620
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 寄生トランジスタによりMOSFETの特性への悪影響が低減されるとともに、オン抵抗の低減およびスイッチング特性の改善がされた縦型MOSFETを有する半導体装置およびその製造法を提供することを主たる目的とする。【構成】 本発明の半導体装置は、縦型MOSFETのソース電極11の一部がソース領域4を貫通してチャネル形成領域3にまで延伸されている埋込ソース電極11aを有するものである。また、本発明の半導体装置の製造法は、縦型MOSFETのソース電極11の一部を、ソース領域4を貫通してチャネル形成領域3にまで延伸させることにより埋込ソース電極11aを形成する工程が設けられているものである。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域を形成する半導体基板と、該半導体基板の表層部に形成されたチャネル形成領域と、該チャネル形成領域の表層部に設けられたソース領域と、前記半導体基板の表面に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極を覆っている絶縁膜と、前記絶縁膜を覆うとともに前記ソース領域とオーミックコンタクトされているソース電極とからなる縦型MOSFETを有する半導体装置であって、前記ソース電極の前記ソース領域とオーミックコンタクトされている面の一部が、ソース領域を貫通して前記チャネル形成領域にまで延伸されてなることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-109775
  
• 特開平2-119184
  
• 特開昭61-281556
  
• 特開昭60-021571