面発光ダイオードおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池田治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-025403
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217454
出願日： 2000年02月02日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】高出力で長寿命の電流狭窄型の面発光ダイオードを提供する。【解決手段】上部電極20の下側に位置する不純物拡散領域34の外周部が中央部に比べて深く形成されていることから、電流が集中するその外周部における電流密度の上昇が抑制され、延いてはそれに起因する劣化が抑制される。また、その不純物拡散領域34の深さは、内周側の不純物拡散領域34と非拡散領域との電流ブロック層32内における境界部の下側位置だけにおいて中央部よりも深くされている。そのため、キャリア濃度の高い不純物拡散領域34が深く形成されることに起因するその不純物拡散領域34で吸収される光量の増加はその周縁部だけに限定されていることから、劣化を防止することに伴う吸収光量の増加延いてはそれに起因する発光出力の低下が十分に小さく留められる。

請求項（抜粋）：

基板上に発光層および電流ブロック層を含む半導体層が積層され、該基板の裏面および光取出面である該半導体層の上面側に下部電極および上部電極がそれぞれ備えられ、且つ、上面視において所定の発光領域内に該電流ブロック層の極性を反転させる不純物が該光取出面から該電流ブロック層を貫通して反転後の極性と同じ極性の半導体層に到達する深さまで拡散された不純物拡散領域が設けられ、前記上面のうちの露出部分から光を射出する形式の電流狭窄構造を有する面発光型ダイオードであって、前記不純物拡散領域と前記不純物が拡散されていない領域との前記電流ブロック層における境界部の下側位置において該不純物拡散領域の深さが残部よりも深くされたことを特徴とする面発光ダイオード。

Fターム (8件)：

5F041AA44 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA53 , 5F041CA72 , 5F041CA73 , 5F041CB02

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