特許

J-GLOBAL ID：200903090344587439

パターンの形成方法

発明者： 藤尾 正之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-078406
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267230
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 高精度でかつ良好な形状のパターンの形成方法を提供することを課題とする。【解決手段】 フォトレジスト層に形成された開口部を非感光性有機膜で埋め込み、フォトレジスト層上の非感光性有機膜をフォトレジスト層が露出するまで全面エッチバックし、フォトレジスト層全面を露光及び現像してフォトレジスト層を除去することで、所望するパターンの非感光性有機膜を得ることにより上記の課題を解決する。

請求項（抜粋）：

基板上にポジ型のフォトレジスト層を形成し、最終的にパターンの形成を所望する部位に開口を有する反転マスクを用いてフォトレジスト層を露光及び現像することで、前記部位の基板が露出するようにフォトレジスト層に開口部を形成し、フォトレジスト層を含む基板全面に非感光性有機膜を塗布することで、非感光性有機膜で開口部を埋め込み、フォトレジスト層上の非感光性有機膜をフォトレジスト層が露出するまで全面エッチバックし、フォトレジスト層全面を露光及び現像してフォトレジスト層を除去することで、所望するパターンの非感光性有機膜を得ることを特徴とするパターンの形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/3065

FI (10件)：

G03F 7/023 511 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/302 J

Fターム (49件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BF02 ,  2H025CB17 ,  2H025CB29 ,  2H025DA13 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA39 ,  2H025FA41 ,  2H025FA47 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096EA06 ,  2H096EA30 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096KA03 ,  2H096LA01 ,  2H096LA02 ,  5F004AA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F004EA01 ,  5F004EA15 ,  5F004EA27 ,  5F046AA20 ,  5F046BA04 ,  5F046CA04 ,  5F046CB17 ,  5F046JA04 ,  5F046JA22 ,  5F046NA08 ,  5F046NA15 ,  5F046NA17 ,  5F046PA08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-251915