特許

J-GLOBAL ID：200903090346507866

半導体集積化変調光源装置

発明者： 菅原 充
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174000
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021578
出願日： 1992年07月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積化変調光源装置に関し、従来より高速動作可能な半導体集積化変調光源装置を提供する。【構成】 半導体レーザ部(DFBレーザ部1)およびこの半導体レーザ部(1)の出射光を強度変調する光変調器部(4)がモノリシックに集積化され、この半導体レーザ部(1)の活性層(2)として井戸層に面内引っ張り歪みが加わっている量子井戸構造が用いられ、かつ、光変調器部(4)の活性層(光吸収層5)として、歪みの有無、あるいは、その方向、向きを問わない、量子井戸構造が用いられている。この場合、InP基板を用い、半導体レーザ部(1)および光変調器部(4)の活性層を構成する量子井戸構造の井戸層にIn1-x Gax As(1≧x≧0.47)、In1-x Gax As1-y Py (xとyは、0.1894y-0.4184x+0.0130xy+5.8696〔Å〕≦5.8687Åを満足する範囲)を用いることができる。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ部および該半導体レーザ部の出射光を強度変調する光変調器部がモノリシックに集積化され、該半導体レーザ部の活性層として井戸層に面内引っ張り歪みが加わっている量子井戸構造が用いられ、かつ、該光変調器部の活性層として量子井戸構造が用いられていることを特徴とする半導体集積化変調光源装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15 ,  H01S 3/103