特許
J-GLOBAL ID：200903090347311876
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-244666
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063023
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の金属配線をCu又はCu合金で構成した場合、ワイヤボンディングの際に、その金属配線とボンディングワイヤとの間の接着性を改善する。【構成】 Cu又はCu合金で構成した金属配線13のうちのボンディングパッド部上にAl膜14を形成し、このAl膜14を介してAu線17をボンディングする。
請求項（抜粋）：
半導体装置の金属配線を銅又は銅合金で構成し、この金属配線の外部引出し用の電極部の上にのみアルミニウム膜を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/3205
