特許

J-GLOBAL ID：200903090352108566

青色半導体発光素子

発明者： 泉谷 敏英 ,  波多野 吾紅 ,  大場 康夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-093719
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247745
出願日： 1989年04月28日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【課題】 新しい化合物半導体材料を用いた輝度の高い青色半導体発光素子を実現する。【解決手段】 発光層102をクラッド層101,103で挟んだダブルへテロ構造部を有する青色半導体発光素子において、ダブルへテロ構造部101,102,103がGaAlN系材料で構成され、ダブルへテロ構造部の両側にGaN層91,95が形成され、一方のGaN層91とダブルへテロ構造部との間に超格子構造の反射層92が挿入されている。

請求項（抜粋）：

発光層をクラッド層で挟んだダブルへテロ構造部を有する青色半導体発光素子において、前記ダブルへテロ構造部がGaAlN系材料で構成され、前記ダブルへテロ構造部の両側にGaN層が形成され、前記GaN層の一方とダブルへテロ構造部との間に超格子構造の反射層が挿入されてなることを特徴とする青色半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-021991
  
• 特開昭53-020882
  
• 特開昭61-007671
  
• 特開昭64-032690