薄膜半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-217070
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055255
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】LDD構造を有する薄膜半導体装置を微細化可能な簡単な工程で製造する事。【構成】異った二種類の膜厚を有するゲート絶縁膜を通じて不純物イオンを打ち込んでLDDTFTを作成する。【効果】漏洩電流の小さい良好なTFTを微細化して簡単に製造出来る。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が絶縁性物質で有る基板の一方面上に、ドナー又はアクセプターとなる不純物を少なくとも二種類の異った濃度で含んだ半導体層よりなるソース及びドレイン領域と、該ソース領域と該ドレイン領域を結ぶチャンネル領域となる半導体層と、これら半導体層上にゲート絶縁層、ゲート電極を形成したMIS型電界効果トランジスタを構成する薄膜半導体装置に於いて、ゲート絶縁層の膜厚を部分的に変える工程と、ゲート電極を形成する工程と、これらの工程終了後ドナー又はアクセプターとなる不純物をゲート電極をマスクとして打ち込み自己整合的にソース領域及びドレイン領域を形成する工程とを含む事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , G02F 1/136 500 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-196328
特開昭63-204769
特開平2-237037

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