特許

J-GLOBAL ID：200903090354673422

微細構造体の形成方法

発明者： 荻野 誠司
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-340180
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188175
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の形成方法を提供する。【構成】 基板9上にレジスト層10を形成し、シンクロトロン放射光(SR光)を用いてレジスト層10を露光する際に、マスク8の表面上に傾斜した側面7aを有する吸収体7を形成し、傾斜した側面7aを有する吸収体7が形成されたマスク8を用いて、シンクロトロン放射光によりレジスト層10を露光する。次に、露光したレジスト層10を現像することにより、開口部を有するレジストパターン11を形成し、開口部に埋め込まれるように材料を基板1上に堆積する。

請求項（抜粋）：

傾斜側面を有する溝を含む微細構造体の形成方法であって、基板上にレジスト層を形成する工程と、表面上に傾斜した側面を有する吸収体を備えたマスクを介して、光を用いて前記レジスト層を露光する工程と、前記露光したレジスト層を現像して、前記マスクの吸収体の傾斜側面に対応する傾斜側面を有する開口部を含むレジストパターンを形成する工程と、前記開口部に埋め込まれるように材料を堆積する工程とを備えた、微細構造体の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-135468
  
• 特開昭59-128540
  
• 特開昭61-113062